半合金电阻和全合金电阻的区别

1. 核心结构差异

两者的根本区别体现在材料构成上，具体差异如下表所示：

2. 关键性能差异

结构差异直接导致了两者在核心性能上的显著不同，主要体现在三个方面：

温度系数（TCR）：全合金电阻因材料一体化，温度变化时阻值波动更�。�TCR 通常在 ±5ppm/℃以内；半合金电阻因引脚与合金层热膨胀系数不同，TCR 多在 ±10~50ppm/℃，稳定性较弱。

功率与耐温性：全合金材料导热性和耐高温性更优，可承受更高功率（如 1W 以上）和更宽温度范围（-55℃~155℃）；半合金电阻功率多在 0.5W 以下，高温下易因焊点老化失效。

精度：全合金电阻阻值精度更高，常见 ±0.1%~±1%；半合金电阻精度多为 ±1%~±5%，受引脚接触电阻影响较大。

3. 适用场景差异

基于性能和成本的平衡，两者的应用场景明确区分：

半合金电阻：适用于对精度、稳定性要求不高的普通电路，如消费电子（手机、家电）的电源分压、信号限流，成本较低，性价比高。

全合金电阻：适用于高精度、高可靠性场景，如工业控制、必一电子（发动机控制、安全系统）、医疗设备、测试仪器，能耐受恶劣环境和长期高负荷工作。

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